casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN1R7-60BS,118
Número de pieza del fabricante | PSMN1R7-60BS,118 |
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Número de parte futuro | FT-PSMN1R7-60BS,118 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN1R7-60BS,118 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 137nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9997pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 306W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN1R7-60BS,118 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN1R7-60BS,118-FT |
BUK7624-55A,118
NXP USA Inc.
BUK7628-100A,118
Nexperia USA Inc.
BUK7628-100A/C,118
NXP USA Inc.
BUK7628-55A,118
NXP USA Inc.
BUK762R0-40E,118
Nexperia USA Inc.
BUK762R4-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK762R6-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK762R7-30B,118
Nexperia USA Inc.
BUK7631-100E,118
Nexperia USA Inc.
BUK763R4-30B,118
Nexperia USA Inc.
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel