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Rohm Semiconductor BSM180C12P2E202

Name: BSM180C12P2E202
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM180C12P2E202
Price: 453.6 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (22 reviews)

Número de pieza de MFG: BSM180C12P2E202

Cantidad disponible: 54070 Piezas

Precio de referencia: USD 453.6

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fabricante: Rohm Semiconductor

Breve descripción: - BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSM180C12P2E202.pdf

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Número de pieza del fabricante	BSM180C12P2E202
Número de parte futuro	FT-BSM180C12P2E202
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
BSM180C12P2E202 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	204A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35.2mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	+22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	20000pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1360W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	Module
Paquete / Caja	Module
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM180C12P2E202 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSM180C12P2E202-FT

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