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NXP USA Inc. BSH112,235
- Número de pieza de MFG
- BSH112,235
- Cantidad disponible
- 81760 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- Fecha de envío
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- fabricante
- NXP USA Inc.
- Breve descripción
- TrenchMOS™ MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- BSH112,235.pdf
BSH112,235 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | BSH112,235 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-BSH112,235 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | TrenchMOS™ |
| BSH112,235 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 300mA (Ta) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 40pF @ 10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 830mW (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-236AB (SOT23) |
| Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BSH112,235 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | BSH112,235-FT |
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