casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK7207-30B,118
Número de pieza del fabricante | BUK7207-30B,118 |
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Número de parte futuro | FT-BUK7207-30B,118 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK7207-30B,118 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2245pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 167W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 185°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7207-30B,118 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK7207-30B,118-FT |
PSMN5R0-100ES,127
Nexperia USA Inc.
BUK9E08-55B,127
Nexperia USA Inc.
PSMN6R3-120ESQ
Nexperia USA Inc.
BUK7E5R2-100E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E2R3-40E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E3R1-40E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E13-60E,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R3-100ES,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E4R6-60E,127
Nexperia USA Inc.
BUK6E2R0-30C,127
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel