casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSD314SPEH6327XTSA1
Número de pieza del fabricante | BSD314SPEH6327XTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSD314SPEH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSD314SPEH6327XTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 6.3µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 294pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 500mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT363-6 |
Paquete / Caja | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSD314SPEH6327XTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSD314SPEH6327XTSA1-FT |
APT6030BN
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