casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APTC60DAM24T1G
Número de pieza del fabricante | APTC60DAM24T1G |
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Número de parte futuro | FT-APTC60DAM24T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTC60DAM24T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 95A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 47.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 14400pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 462W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SP1 |
Paquete / Caja | SP1 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTC60DAM24T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APTC60DAM24T1G-FT |
AON6912ALS
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AON6912ALS_102
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