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APTC60DAM24T1G Image

Microsemi Corporation APTC60DAM24T1G

Número de pieza de MFG
APTC60DAM24T1G
Cantidad disponible
62330 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
- MOSFET N-CH 600V 95A SP1
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APTC60DAM24T1G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 95A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 47.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 14400pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 462W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SP1
Paquete / Caja SP1
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTC60DAM24T1G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto APTC60DAM24T1G-FT

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