casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / BSD235N L6327
Número de pieza del fabricante | BSD235N L6327 |
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Número de parte futuro | FT-BSD235N L6327 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSD235N L6327 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 950mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 950mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1.6µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.32nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 63pF @ 10V |
Potencia - max | 500mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT363-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSD235N L6327 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSD235N L6327-FT |
NTND31015NZTAG
ON Semiconductor
NTTFS5C466NLTAG
ON Semiconductor
NTMFD4C85NT1G
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NTMFD4C86NT1G
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NTMFD4C88NT3G
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A54SX16P-1TQ144
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XC7A15T-3FTG256E
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XC6SLX25-N3FTG256I
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A3PE600-FG484I
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A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
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5CEFA5U19C6N
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