casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC010N04LSIATMA1
Número de pieza del fabricante | BSC010N04LSIATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSC010N04LSIATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC010N04LSIATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 37A (Ta), 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6200pF @ 20V |
Característica FET | Schottky Diode (Body) |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 FL |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC010N04LSIATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSC010N04LSIATMA1-FT |
IPD95R450P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD95R750P7ATMA1
Infineon Technologies
IRFI1310N
Infineon Technologies
IRFI520N
Infineon Technologies
IRFI530N
Infineon Technologies
IRFIZ24E
Infineon Technologies
IRFIZ34E
Infineon Technologies
IRFIZ46N
Infineon Technologies
IRFIZ48N
Infineon Technologies
IRLI2203N
Infineon Technologies
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel