casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BRCE064GWZ-3E2
Número de pieza del fabricante | BRCE064GWZ-3E2 |
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Número de parte futuro | FT-BRCE064GWZ-3E2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BRCE064GWZ-3E2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | 400kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.6V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-XFBGA, CSPBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-UCSP25L1 (1.5x1) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BRCE064GWZ-3E2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BRCE064GWZ-3E2-FT |
BR24T256FV-WE2
Rohm Semiconductor
BR25S128FV-WE2
Rohm Semiconductor
BR93G66FV-3GTE2
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Rohm Semiconductor
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Rohm Semiconductor
BR24G128FVT-3AGE2
Rohm Semiconductor
XC6SLX100-2FG484I
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EP4S100G2F40I1N
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5SGXMA5H2F35I3LN
Intel
A1020B-PL44C
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XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel