casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR24G128FVT-3AGE2
Número de pieza del fabricante | BR24G128FVT-3AGE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR24G128FVT-3AGE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR24G128FVT-3AGE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frecuencia de reloj | 1MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP-B |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR24G128FVT-3AGE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR24G128FVT-3AGE2-FT |
BR24T01NUX-WTR
Rohm Semiconductor
BR24T02NUX-WTR
Rohm Semiconductor
BR93G76NUX-3ATTR
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BR93G76NUX-3BTTR
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BR24G01NUX-3ATTR
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BR24G01NUX-3TTR
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A3P015-QNG68I
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EP1K30TI144-2
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LCMXO2280C-4TN100C
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XC7S75-L1FGGA676I
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ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
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EP4CE55F29C8N
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