casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR25S128GUZ-WE2
Número de pieza del fabricante | BR25S128GUZ-WE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR25S128GUZ-WE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25S128GUZ-WE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frecuencia de reloj | 10MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 12-XFBGA, CSPBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | VCSP35L2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25S128GUZ-WE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR25S128GUZ-WE2-FT |
BR25G256FJ-3GE2
Rohm Semiconductor
BR25G320FJ-3GE2
Rohm Semiconductor
BR25G512FJ-3GE2
Rohm Semiconductor
BR25G640FJ-3GE2
Rohm Semiconductor
BR25H010FJ-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H020FJ-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H080FJ-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H128FJ-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H160FJ-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H256FJ-2ACE2
Rohm Semiconductor
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel