casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR25S128GUZ-WE2
Número de pieza del fabricante | BR25S128GUZ-WE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR25S128GUZ-WE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25S128GUZ-WE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frecuencia de reloj | 10MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 12-XFBGA, CSPBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | VCSP35L2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25S128GUZ-WE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR25S128GUZ-WE2-FT |
BR25G256FJ-3GE2
Rohm Semiconductor
BR25G320FJ-3GE2
Rohm Semiconductor
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Rohm Semiconductor
BR25H010FJ-2CE2
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Rohm Semiconductor
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Rohm Semiconductor
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Rohm Semiconductor
BR25H256FJ-2ACE2
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XC2VP70-6FF1517C
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5SGXMA4K2F40C3N
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10CX105YF672I6G
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XC7K70T-2FBG484I
Xilinx Inc.
XC7S15-2CPGA196C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-2MG132I
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10AX057K2F35I1SG
Intel
EP20K60EFC324-3N
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