casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BR25H010FJ-2CE2
Número de pieza del fabricante | BR25H010FJ-2CE2 |
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Número de parte futuro | FT-BR25H010FJ-2CE2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
BR25H010FJ-2CE2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 1Kb (128 x 8) |
Frecuencia de reloj | 10MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 4ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP-J |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25H010FJ-2CE2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BR25H010FJ-2CE2-FT |
BR25H040FVT-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H128FVT-2ACE2
Rohm Semiconductor
BR25H320FVT-2CE2
Rohm Semiconductor
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BR25H640FVT-2CE2
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BR93H76RFVT-2CE2
Rohm Semiconductor
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BR25A256FVT-3MGE2
Rohm Semiconductor
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel