casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BQ4016MC-70
Número de pieza del fabricante | BQ4016MC-70 |
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Número de parte futuro | FT-BQ4016MC-70 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BQ4016MC-70 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 8Mb (1M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.75V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 36-DIP Module (0.610", 15.49mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 36-DIP Module (18.42x52.96) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4016MC-70 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BQ4016MC-70-FT |
W631GU6KB15I TR
Winbond Electronics
W632GG6KB-09
Winbond Electronics
W632GG6KB-11
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W632GG6KB-11 TR
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W632GG6KB-12
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W632GG6KB-12 TR
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W632GG6KB-15
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W632GG6KB-15 TR
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W632GG6KB-18
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W632GG6KB11I
Winbond Electronics
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation