casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BQ4011LYMA-70N
Número de pieza del fabricante | BQ4011LYMA-70N |
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Número de parte futuro | FT-BQ4011LYMA-70N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BQ4011LYMA-70N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4011LYMA-70N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BQ4011LYMA-70N-FT |
W631GG6MB-11
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W631GG6MB-15
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LFE2-20E-6FN672C
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LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
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EP3SL110F780I4
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10AX027E1F29I1HG
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