casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / BF1109R,215
Número de pieza del fabricante | BF1109R,215 |
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Número de parte futuro | FT-BF1109R,215 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BF1109R,215 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | N-Channel Dual Gate |
Frecuencia | 800MHz |
Ganancia | 20dB |
Voltaje - prueba | 9V |
Valoración actual | 30mA |
Figura de ruido | 1.5dB |
Corriente - Prueba | - |
Salida de potencia | - |
Tensión nominal | 11V |
Paquete / Caja | SOT-143R |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-143R |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BF1109R,215 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BF1109R,215-FT |
AFT09S220-02NR3
NXP USA Inc.
AFT09S282NR3
NXP USA Inc.
MHE1003NR3
NXP USA Inc.
MHT1003NR3
NXP USA Inc.
MHT1004NR3
NXP USA Inc.
MRF24300NR3
NXP USA Inc.
MRF7S24250NR3
NXP USA Inc.
MRF8S7170NR3
NXP USA Inc.
MRF8S7235NR3
NXP USA Inc.
MRF8S9200NR3
NXP USA Inc.
XC6VLX130T-2FFG484I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F484C8N
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
M2GL090-1FGG676
Microsemi Corporation
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C8N
Intel
EP3C120F780C7
Intel