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MHE1003NR3 Image

NXP USA Inc. MHE1003NR3

Número de pieza de MFG
MHE1003NR3
Cantidad disponible
30360 Piezas
Precio de referencia
USD 104.156224
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Fecha de envío
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fabricante
NXP USA Inc.
Breve descripción
- RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-MHE1003NR3
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
MHE1003NR3 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor LDMOS
Frecuencia 2.4GHz ~ 2.5GHz
Ganancia 14.1dB
Voltaje - prueba 28V
Valoración actual 10µA
Figura de ruido -
Corriente - Prueba 50mA
Salida de potencia 53dBm
Tensión nominal 65V
Paquete / Caja OM-780-2
Paquete del dispositivo del proveedor OM-780-2
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MHE1003NR3 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto MHE1003NR3-FT

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