casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / BAW56WE6327HTSA1
Número de pieza del fabricante | BAW56WE6327HTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BAW56WE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAW56WE6327HTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 80V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 200mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 150mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 150nA @ 70V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT323-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56WE6327HTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAW56WE6327HTSA1-FT |
MMBD2836LT1
ON Semiconductor
MMBD7000_D87Z
ON Semiconductor
RB425D-TP
Micro Commercial Co
RB495D-TP
Micro Commercial Co
SMBD 7000 E6433
Infineon Technologies
SMBD7000E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS21VD,135
Nexperia USA Inc.
BAS21AVD,165
Nexperia USA Inc.
BAS21UE6327HTSA1
Infineon Technologies
IMN10T108
Rohm Semiconductor
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel