casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / RB425D-TP
Número de pieza del fabricante | RB425D-TP |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RB425D-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RB425D-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 40V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 100mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 550mV @ 100mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 30µA @ 10V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 125°C (Max) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB425D-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RB425D-TP-FT |
BAS7006E6327HTSA1
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BAS7006E6433HTMA1
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BAT5406E6327HTSA1
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MMBD1405A
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1PS181,115
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1PS181,135
NXP USA Inc.
XC7A75T-1FTG256C
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XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
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Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
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5SGSMD6N3F45C4N
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A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
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5AGXMB1G4F35I5N
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