casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BAV19W-HE3-18
Número de pieza del fabricante | BAV19W-HE3-18 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BAV19W-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV19W-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 250mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 200mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV19W-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAV19W-HE3-18-FT |
MBR1650-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1650HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1660HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL1030-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL1030HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel