casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / V20120SGHM3/4W
Número de pieza del fabricante | V20120SGHM3/4W |
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Número de parte futuro | FT-V20120SGHM3/4W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
V20120SGHM3/4W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 120V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.33V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 250µA @ 120V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V20120SGHM3/4W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | V20120SGHM3/4W-FT |
VS-80APS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80APS16-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80APS16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65PQ015-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS40L15CW-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation