casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BAV103-TP
Número de pieza del fabricante | BAV103-TP |
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Número de parte futuro | FT-BAV103-TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV103-TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 200mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Paquete del dispositivo del proveedor | Mini MELF |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV103-TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAV103-TP-FT |
1N6640US
Microsemi Corporation
1N6642U
Microsemi Corporation
1N6628US
Microsemi Corporation
1N6627US
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
1N6625US
Microsemi Corporation
1N6536
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1N5814
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1N5812
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A3P400-1FG484I
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M1A3P1000-FGG256
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10M50DCF256C7G
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5SGXEA7N2F40C2N
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EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
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LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
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5SGXEA3H1F35C2N
Intel