casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N6625US
Número de pieza del fabricante | 1N6625US |
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Número de parte futuro | FT-1N6625US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6625US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.75V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 60ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 1100V |
Capacitancia a Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, A |
Paquete del dispositivo del proveedor | A-MELF |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6625US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6625US-FT |
DSB3A20
Microsemi Corporation
DSB3A30
Microsemi Corporation
DSB3A40
Microsemi Corporation
DSB5712
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APT60S20SG/TR
Microsemi Corporation
APT60D100SG
Microsemi Corporation
APT60D120SG
Microsemi Corporation
APT60S20SG
Microsemi Corporation
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APT20SCD120S
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A1020B-2VQ80C
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A3PN250-Z2VQG100
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XC6VHX250T-2FFG1154I
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10AX090S4F45E3SG
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10AX115H3F34I2LG
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