Número de pieza del fabricante | DSB3A30 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DSB3A30 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSB3A30 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 500mV @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 30V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSB3A30 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DSB3A30-FT |
JANS1N5617US
Microsemi Corporation
JANS1N5418
Microsemi Corporation
JAN1N914
Microsemi Corporation
JANTX1N6640US
Microsemi Corporation
JANTX1N6642US
M/A-Com Technology Solutions
JAN1N6642US
Microsemi Corporation
JANTX1N6638U
Microsemi Corporation
JANTX1N6638US
M/A-Com Technology Solutions
JANTXV1N6640
M/A-Com Technology Solutions
JANTXV1N6640US
M/A-Com Technology Solutions
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel