casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / B170BE-13
Número de pieza del fabricante | B170BE-13 |
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Número de parte futuro | FT-B170BE-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
B170BE-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 70V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 790mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 200µA @ 70V |
Capacitancia a Vr, F | 27pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B170BE-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | B170BE-13-FT |
JAN1N5622US
Microsemi Corporation
JAN1N5623
Microsemi Corporation
JAN1N5623US
Microsemi Corporation
JAN1N5802
Microsemi Corporation
JAN1N5804
Microsemi Corporation
JAN1N5809
Microsemi Corporation
JAN1N5809US
Microsemi Corporation
JAN1N5811
Microsemi Corporation
JAN1N6074
Microsemi Corporation
JAN1N6075
Microsemi Corporation
XC4005XL-3PQ100C
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XA3SD1800A-4CSG484Q
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A3PE1500-1FG484I
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A54SX08A-1PQG208I
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EP2S15F484C4
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EP4CE115F23C9L
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EP3SE80F1152C3
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XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel