casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / B160-13-G
Número de pieza del fabricante | B160-13-G |
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Número de parte futuro | FT-B160-13-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
B160-13-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 60V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 700mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacitancia a Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMA |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B160-13-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | B160-13-G-FT |
20ETF12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS08FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
240NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
240NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
240NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division
241NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division
241NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
241NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division
242NQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel