casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 20ETS12FP
Número de pieza del fabricante | 20ETS12FP |
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Número de parte futuro | FT-20ETS12FP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
20ETS12FP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 20A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 Full Pack |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC Full Pack |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
20ETS12FP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 20ETS12FP-FT |
1N5816R
Microsemi Corporation
1N5817A-01
Diodes Incorporated
1N5819HW-13
Diodes Incorporated
1N5819UR-1/TR
Microsemi Corporation
1N5820-A
Diodes Incorporated
1N5821-A
Diodes Incorporated
1N6073US
Microsemi Corporation
1N6076US
Microsemi Corporation
1N6077US
Microsemi Corporation
1N6078US
Microsemi Corporation
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel