casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N5819HW-13
Número de pieza del fabricante | 1N5819HW-13 |
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Número de parte futuro | FT-1N5819HW-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5819HW-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 40V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 750mV @ 3A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1mA @ 40V |
Capacitancia a Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5819HW-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5819HW-13-FT |
1N4148-1/TR
Microsemi Corporation
1N4148UB
Microsemi Corporation
1N4148UBCA
Microsemi Corporation
1N4148UBCC
Microsemi Corporation
1N4148UBD
Microsemi Corporation
1N4148UR-1/TR
Microsemi Corporation
1N4150UR-1/TR
Microsemi Corporation
1N4245GP-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4245GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4248GP-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel