Número de pieza del fabricante | B05S-G |
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Número de parte futuro | FT-B05S-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
B05S-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 800mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 800mA |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-269AA, 4-BESOP |
Paquete del dispositivo del proveedor | MBS |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B05S-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | B05S-G-FT |
GBJ610
Diodes Incorporated
GBJ802
Diodes Incorporated
GBJ804
Diodes Incorporated
GBJ806
Diodes Incorporated
GBJ810
Diodes Incorporated
DF1502S-T
Diodes Incorporated
DF1501S-T
Diodes Incorporated
DF1508S-T
Diodes Incorporated
DF10S-T
Diodes Incorporated
DF06S-T
Diodes Incorporated
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel