casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AUIRLR3114Z
Número de pieza del fabricante | AUIRLR3114Z |
---|---|
Número de parte futuro | FT-AUIRLR3114Z |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRLR3114Z Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 42A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 42A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3810pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 140W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-PAK (TO-252AA) |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRLR3114Z Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AUIRLR3114Z-FT |
FQD6N50CTM
ON Semiconductor
FQD7N10LTM
ON Semiconductor
FQD7N20LTM
ON Semiconductor
FQD7N30TM
ON Semiconductor
FQD8P10TM
ON Semiconductor
FQD9N25TM-F080
ON Semiconductor
HUF75329D3ST
ON Semiconductor
HUF76609D3ST
ON Semiconductor
RFD16N05LSM9A
ON Semiconductor
2SJ377(TE16R1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel