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ON Semiconductor HUF76609D3ST

Número de pieza de MFG
HUF76609D3ST
Cantidad disponible
95260 Piezas
Precio de referencia
USD 0.331536
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
UltraFET™ MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-HUF76609D3ST
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie UltraFET™
HUF76609D3ST Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Vgs (Max) ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 425pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 49W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Paquete / Caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HUF76609D3ST Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto HUF76609D3ST-FT

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