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Infineon Technologies AUIRL7766M2TR

Name: AUIRL7766M2TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: AUIRL7766M2TR
Price: 1.007752 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (498 reviews)

Número de pieza de MFG: AUIRL7766M2TR

Cantidad disponible: 84740 Piezas

Precio de referencia: USD 1.007752

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: AUIRL7766M2TR.pdf

AUIRL7766M2TR Presupuesto

Número de pieza del fabricante	AUIRL7766M2TR
Número de parte futuro	FT-AUIRL7766M2TR
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
AUIRL7766M2TR Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 150µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	66nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	5305pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	DIRECTFET™ M4
Paquete / Caja	DirectFET™ Isometric M4
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRL7766M2TR Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	AUIRL7766M2TR-FT

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