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Infineon Technologies AUIRL7766M2TR

Número de pieza de MFG
AUIRL7766M2TR
Cantidad disponible
84740 Piezas
Precio de referencia
USD 1.007752
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
AUIRL7766M2TR Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 150µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5305pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor DIRECTFET™ M4
Paquete / Caja DirectFET™ Isometric M4
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRL7766M2TR Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto AUIRL7766M2TR-FT

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