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Microsemi Corporation APT1001R1BN

Name: APT1001R1BN
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT1001R1BN
Availability: InStock
Rating: 4.5 (172 reviews)

Número de pieza de MFG: APT1001R1BN

Cantidad disponible: 54520 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Microsemi Corporation

Breve descripción: POWER MOS IV® MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: APT1001R1BN.pdf

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APT1001R1BN Presupuesto

Número de pieza del fabricante	APT1001R1BN
Número de parte futuro	FT-APT1001R1BN
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	POWER MOS IV®
APT1001R1BN Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 Ohm @ 5.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2950pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	310W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247AD
Paquete / Caja	TO-247-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT1001R1BN Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	APT1001R1BN-FT

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