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Infineon Technologies AUIRFS4010-7P

Número de pieza de MFG
AUIRFS4010-7P
Cantidad disponible
91810 Piezas
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
AUIRFS4010-7P Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 190A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9830pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 380W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK (7-Lead)
Paquete / Caja TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRFS4010-7P Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto AUIRFS4010-7P-FT

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