casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C8016A-55BINTR
Número de pieza del fabricante | AS6C8016A-55BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS6C8016A-55BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C8016A-55BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 8Mb (512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-FPBGA (10x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C8016A-55BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C8016A-55BINTR-FT |
AS4C8M32S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16D2-25BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16D2-25BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16D2-25BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16D2-25BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D2-25BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D2A-25BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D2-25BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D2-25BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D2-25BINTR
Alliance Memory, Inc.
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel