casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C16M16D2-25BINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C16M16D2-25BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C16M16D2-25BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C16M16D2-25BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 400ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 84-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 84-TFBGA (8x12.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M16D2-25BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C16M16D2-25BINTR-FT |
MT41K1G8RKB-107:P
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107 IT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107 IT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 AIT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 IT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125:M
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-15E:M
Micron Technology Inc.