casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C32M32MD1-5BIN
Número de pieza del fabricante | AS4C32M32MD1-5BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C32M32MD1-5BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C32M32MD1-5BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR |
Tamaño de la memoria | 1Gb (32M x 32) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 90-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 90-FBGA (8x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C32M32MD1-5BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C32M32MD1-5BIN-FT |
AS4C512M8D3LA-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3LA-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3LA-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3LA-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3LA-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
MT48LC16M16A2F4-6A:GTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16SA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16SA-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16SA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16SA-6BAN
Alliance Memory, Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel