casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C256M8D3LB-12BIN
Número de pieza del fabricante | AS4C256M8D3LB-12BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C256M8D3LB-12BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C256M8D3LB-12BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3L |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-FBGA (8x10.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M8D3LB-12BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C256M8D3LB-12BIN-FT |
AS6C1616-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C3216A-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C6416-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C8016-55TIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C8016-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C316096A-10TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C316096A-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C316098A-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C34096B-10TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C34096B-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel