casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C256M8D3-12BIN
Número de pieza del fabricante | AS4C256M8D3-12BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C256M8D3-12BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C256M8D3-12BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-FBGA (8x10.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M8D3-12BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C256M8D3-12BIN-FT |
AS4C16M32MS-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MS-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1-5BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1-5BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1-5BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1-5BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16D2A-25BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16D2A-25BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M16D2A-25BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16D2A-25BIN
Alliance Memory, Inc.
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel