casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C256M8D3-12BINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C256M8D3-12BINTR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-AS4C256M8D3-12BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C256M8D3-12BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-FBGA (8x10.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M8D3-12BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C256M8D3-12BINTR-FT |
AS4C16M32MS-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1-5BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1-5BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1-5BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1-5BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16D2A-25BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16D2A-25BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M16D2A-25BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16D2A-25BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D2A-25BIN
Alliance Memory, Inc.
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel