casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C256M8D3-12BCNTR
Número de pieza del fabricante | AS4C256M8D3-12BCNTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C256M8D3-12BCNTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C256M8D3-12BCNTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 90°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-FBGA (8x10.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M8D3-12BCNTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C256M8D3-12BCNTR-FT |
AS4C16M32MS-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MS-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MS-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1-5BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1-5BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1-5BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1-5BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16D2A-25BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16D2A-25BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M16D2A-25BIN
Alliance Memory, Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel