casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C1G8MD3L-12BCN
Número de pieza del fabricante | AS4C1G8MD3L-12BCN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C1G8MD3L-12BCN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C1G8MD3L-12BCN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3L |
Tamaño de la memoria | 8Gb (1G x 8) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 13.75ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-FBGA (9x13.2) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C1G8MD3L-12BCN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C1G8MD3L-12BCN-FT |
MT41K256M8DA-125 IT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125:M
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-15E:M
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-093 IT:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-093 IT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-093:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 IT:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107:P
Micron Technology Inc.
AS6C8008-55BIN
Alliance Memory, Inc.
XC3S500E-4CPG132C
Xilinx Inc.
APA075-FG144A
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
XC7S6-1CSGA225C
Xilinx Inc.
10M04SAM153I7G
Intel
5AGXFB5H4F35I3N
Intel
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP20K100EFC324-3
Intel
EPF8636AQC160-3N
Intel