casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C8008-55BIN
Número de pieza del fabricante | AS6C8008-55BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS6C8008-55BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C8008-55BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 8Mb (1M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-LFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C8008-55BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C8008-55BIN-FT |
AT25256AW-10SI-1.8
Microchip Technology
AT25256AW-10SI-1.8-T
Microchip Technology
AT25256AW-10SI-2.7
Microchip Technology
AT25256AW-10SI-2.7-T
Microchip Technology
AT25256AW-10SU-1.8
Microchip Technology
AT25256AW-10SU-2.7
Microchip Technology
AT25256W-10SC
Microchip Technology
AT25256W-10SC-1.8
Microchip Technology
AT25256W-10SC-2.7
Microchip Technology
AT25256W-10SI
Microchip Technology
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation