casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C16M16MD1-6BCNTR
Número de pieza del fabricante | AS4C16M16MD1-6BCNTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C16M16MD1-6BCNTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C16M16MD1-6BCNTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR |
Tamaño de la memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FPBGA (8x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M16MD1-6BCNTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C16M16MD1-6BCNTR-FT |
AS4C128M8D3LB-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M8D3L-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M8D3L-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M8D3LA-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M8D3-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M8D3LB-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M8D3-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M8D3B-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M8D3B-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M8D3-12BIN
Alliance Memory, Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel