casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C128M8D3-12BIN
Número de pieza del fabricante | AS4C128M8D3-12BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C128M8D3-12BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C128M8D3-12BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-FBGA (8x10.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M8D3-12BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C128M8D3-12BIN-FT |
AS6C1616-55TIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C6416-55TIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C3216A-55TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C316098A-10TIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55TINL
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55TINLTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C3216A-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C6416-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C8016-55TIN
Alliance Memory, Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel