casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / AS3BDHM3_A/H
Número de pieza del fabricante | AS3BDHM3_A/H |
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Número de parte futuro | FT-AS3BDHM3_A/H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
AS3BDHM3_A/H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Avalanche |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 20µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS3BDHM3_A/H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS3BDHM3_A/H-FT |
1SS193S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS355WTE-17
Rohm Semiconductor
1SS388(TL3,F,D)
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20ETF02FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF10FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS08FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
240NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
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M1A3P1000-FGG256
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10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
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Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
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5SGXEA3H1F35C2N
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