casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS1C8M16PL-70BIN
Número de pieza del fabricante | AS1C8M16PL-70BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS1C8M16PL-70BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
AS1C8M16PL-70BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | PSRAM |
Tecnología | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Tamaño de la memoria | 128Mb (8M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 49-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 49-FBGA (4x4) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS1C8M16PL-70BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS1C8M16PL-70BIN-FT |
PZ28F064M29EWBX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWHA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWHX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWLA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWLX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWTA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWTX
Micron Technology Inc.
AS4C2M32S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C325632-10BIN
Alliance Memory, Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel