casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS1C8M16PL-70BIN
Número de pieza del fabricante | AS1C8M16PL-70BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS1C8M16PL-70BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
AS1C8M16PL-70BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | PSRAM |
Tecnología | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Tamaño de la memoria | 128Mb (8M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 49-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 49-FBGA (4x4) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS1C8M16PL-70BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS1C8M16PL-70BIN-FT |
PZ28F064M29EWBX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWHA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWHX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWLA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWLX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWTA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWTX
Micron Technology Inc.
AS4C2M32S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C325632-10BIN
Alliance Memory, Inc.
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel