casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / APTGT200H60G
Número de pieza del fabricante | APTGT200H60G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-APTGT200H60G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT200H60G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | Full Bridge Inverter |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 600V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 290A |
Potencia - max | 625W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 250µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 12.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | SP6 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SP6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT200H60G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APTGT200H60G-FT |
VS-GA400TD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-N3FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6LMG328E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2LG
Intel
5AGXMA3D4F31C4N
Intel
EP4SGX70DF29I3N
Intel