casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / APTGT200DH60G
Número de pieza del fabricante | APTGT200DH60G |
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Número de parte futuro | FT-APTGT200DH60G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT200DH60G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | Asymmetrical Bridge |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 600V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 290A |
Potencia - max | 625W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 250µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 12.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | SP6 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SP6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT200DH60G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APTGT200DH60G-FT |
VS-GA200TH60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA300TD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA400TD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN015-1QNG68
Microsemi Corporation
XC4028XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256K
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C2LN
Intel
5SGXEA7N1F45C2L
Intel
5SGXEA3K3F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FHG1761C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation