casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / APTGT100H170G
Número de pieza del fabricante | APTGT100H170G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-APTGT100H170G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT100H170G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | Full Bridge Inverter |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1700V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 150A |
Potencia - max | 560W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 100A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 350µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 9nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | SP6 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SP6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT100H170G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APTGT100H170G-FT |
VS-GB75TP120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT100TP60N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT200TP065N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT50TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT50TP60N
Vishay Semiconductor Diodes Division
FD400R07PE4RB6BOSA1
Infineon Technologies
FD401R17KF6C_B2
Infineon Technologies
FF300R06KE3B2HOSA1
Infineon Technologies
F450R07W1H3B11ABOMA1
Infineon Technologies
F475R07W1H3B11ABOMA1
Infineon Technologies
XC6SLX9-N3FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6LMG328E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2LG
Intel
5AGXMA3D4F31C4N
Intel
EP4SGX70DF29I3N
Intel