casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GT100TP60N
Número de pieza del fabricante | VS-GT100TP60N |
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Número de parte futuro | FT-VS-GT100TP60N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-GT100TP60N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configuración | Half Bridge |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 600V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 160A |
Potencia - max | 417W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 5mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 7.71nF @ 30V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | INT-A-PAK (3 + 4) |
Paquete del dispositivo del proveedor | INT-A-PAK |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GT100TP60N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-GT100TP60N-FT |
FF900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4PBOSA1
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FF900R12IP4VBOSA1
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DDB6U180N16RRB11BPSA1
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F4200R17N3E4BPSA1
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EP20K60ETC144-2
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XC6SLX25T-N3FG484C
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A3PE3000L-FGG484I
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A54SX32A-FFG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FG484
Microsemi Corporation
M1AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
A54SX32A-1BGG329
Microsemi Corporation